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- DA962Dn中大功率
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- DE106D1單管高壓

- DE106D2雙管高壓

- DE300M2大功率
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- PD106 高隔離電壓
- PD107 大功率
- PD203 DC-DC 雙路
- PD220 高隔離電壓
- PD221 高隔離電壓
輔助控制組件
- QP101死區發生器
- QP102死區發生器
- JKDF1光纖驅動接口
 

TX-KD303T 低頻半橋驅動器
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特點

  • 采用本公司的分時式自給電源發明專利技術,無需隔離電源
  • MOSFET(IGBT)半橋隔離驅動器
  • 關斷時輸出負電平,可靠關斷
  • 最低工作頻率3KHz

應用

  • 用于驅動半橋、全橋、推挽正激變換器中的兩只大功率MOSFET或IGBT管,適用的器件封裝大致為TO-3P、TO-247,電流容量范圍為20-60A,電壓容量范圍為400-1700V,柵源電容Cgs范圍為4.7-22nF。
  • PWM/PFM控制和移相控制均可

主要參數

參數
符號
測試條件
最小值
典型值
最大值
單位
輸入脈沖信號幅值 Vs  
11
12
13
V
輸出電壓 Vo+  
 
14
 
V
Vo-  
 
-4
 
輸出電流 Io+ 電容負載
 
 
3
A
Io-
 
 
-3
輸出電荷 Qout  
 
 
1
μ C
工作頻率 Fop
3
15
KHz
驅動功率 Po 每路
 
 
1
W
占空比 δ  
5
 
47
%
工作環境溫度 Top  
-40
 
85

外形照片


應用連接

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